рефераты бесплатно
Главная

Рефераты по геополитике

Рефераты по государству и праву

Рефераты по гражданскому праву и процессу

Рефераты по делопроизводству

Рефераты по кредитованию

Рефераты по естествознанию

Рефераты по истории техники

Рефераты по журналистике

Рефераты по зоологии

Рефераты по инвестициям

Рефераты по информатике

Исторические личности

Рефераты по кибернетике

Рефераты по коммуникации и связи

Рефераты по косметологии

Рефераты по криминалистике

Рефераты по криминологии

Рефераты по науке и технике

Рефераты по кулинарии

Рефераты по культурологии

Рефераты по зарубежной литературе

Рефераты по логике

Рефераты по логистике

Рефераты по маркетингу

Рефераты по международному публичному праву

Рефераты по международному частному праву

Рефераты по международным отношениям

Рефераты по культуре и искусству

Рефераты по менеджменту

Рефераты по металлургии

Рефераты по муниципальному праву

Рефераты по налогообложению

Рефераты по оккультизму и уфологии

Рефераты по педагогике

Рефераты по политологии

Рефераты по праву

Биографии

Рефераты по предпринимательству

Рефераты по психологии

Рефераты по радиоэлектронике

Рефераты по риторике

Рефераты по социологии

Рефераты по статистике

Рефераты по страхованию

Рефераты по строительству

Рефераты по схемотехнике

Рефераты по таможенной системе

Сочинения по литературе и русскому языку

Рефераты по теории государства и права

Рефераты по теории организации

Рефераты по теплотехнике

Рефераты по технологии

Рефераты по товароведению

Рефераты по транспорту

Рефераты по трудовому праву

Рефераты по туризму

Рефераты по уголовному праву и процессу

Рефераты по управлению

Реферат: Устройство селективного управления работой семисегментного индикатора

Реферат: Устройство селективного управления работой семисегментного индикатора

САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКАЯ ИНЖЕНЕРНАЯ ШКОЛА ЭЛЕКТРОНИКИ


КУРСОВОЙ ПРОЕКТ


Пояснительная записка

Тема:             УСТРОЙСТВО СЕЛЕКТИВНОГО УПРАВЛЕНИЯ РАБОТОЙ

СЕМИСЕГМЕНТНОГО ИНДЕКАТОРА


КП                                                   2201                                                             453К


Преподаватель                                                                   Швайка   О. Г.



Учащийся                                       Бляхман Е.С.

                             УТВЕРЖДЕНО

                        предметной комиссией

«    » __________________________ 2004г.

Председатель _______________________

З А Д А Н И Е

на курсовое проектирование по                         курсу  ЭЦВМ  и  МП

учащемуся          Бляхман Е.С.                                   IV          курса      453-К         группы

                                                                СПИШЭ                                                          техникума

                                     (наименование среднего специального учебного заведения)


                                                              (фамилия, имя, отчество)

Тема задания    Устройство селективного управления работой семисегментного индикатора

Курсовой проект на указанную тему выполняется учащимися техникума в следующем объеме:

1. Пояснительная записка.

               Введение.

        1.    Общая часть.


1.1.   Назначение устройства управления.


1.2.  Составление таблицы истинности работы устройства.


1.3.  Минимизация логической функции.


1.4.  Выбор и обоснование функциональной схемы устройства.


1.5.  Синтез электрической принципиальной схемы в базисе И-НЕ.


1.6.  Выбор элементной базы проектируемого устройства.


1.7.  Описание используемых в схеме ИМС и семисегментного индикатора.


2. Расчетная часть проекта  ______________________________________________________

2.1.    Ориентировочный расчет быстродействия и потребляемой мощности устройства


управления.


2.2.    Расчет вероятности безотказной работы устройства управления и среднего


времени наработки на отказ.


4.       Графическая часть проекта _______________________________________________

Схема электрическая принципиальная.


Устройство селективного управления работой семисегментного индикатора.


   Заключение.


   Список литературы.


                                                                    Дата выдачи ______________________________

                                                              Срок окончания ______________________________

                                                              Зав. отделением ______________________________

                                                                Преподаватель ______________________________

ВВЕДЕНИЕ

Развитие микроэлектроники способствовало появлению малогабаритных, высоконадежных и экономичных вычислительных устройств на основе цифровых микросхем. Требования увеличения быстродействия и уменьшения мощности потребления вычислительных средств привело к созданию серий цифровых микросхем. Серия представляет собой комплект микросхем, имеющие единое конструктивно – технологическое исполнение. Наиболее широкое распространение в современной аппаратуре получили серии микросхем ТТЛ, ТТЛШ, ЭСЛ и схемы на МОП – структурах.

ТТЛ схемы появились как результат развития схем ДТЛ в результате замены матрицы диодов многоэмиттерным транзистором. Этот транзистор представляет собой интегральный элемент, объединяющий свойства диодных логических схем и транзисторного усилителя.


1. Общая часть.

1.1. Назначение устройства


На рисунке в виде “черного ящика” показана комбинационная схема (КС) управляющая семисегментным индикатором. На вход схемы подаются различные комбинации двух сигналов X1, X2, X3, X4 (X1- старший). На индикатор предполагается выводить лишь отдельные цифры из множества шестнадцатеричных цифр. На выходе Y должна быть единица, если соединенный с этим выходом сегмент должен загореться при отображении цифр (для логической схемы). Требуется:

1. Составить совмещенную таблицу истинности, комплект карт Карно для функции Y, провести совместную минимизацию в СДНФ и записать логические формулы,  выражающие Y через X, выполнить преобразование этих формул к виду, обеспечивающему минимально возможную реализацию КС в системе логических элементов ТТЛ серии типа К155 или К555;

2. Выполнить принципиальную электрическую схему устройства, провести расчет быстродействия и мощности;

3. Выполнить расчет надежности.

1.2. Составление таблицы истинности работы устройства.


Создание таблицы истинности работы устройства по следующему набору комбинаций     1, 2, 3, 4, 7, 8, B, C, F.

N X1 X2 X3 X4 Y1 Y2 Y3 Y4 Y5 Y6 Y7
1 0 0 0 1 1 0 0 0 0 0 1
2 0 0 1 0 1 1 0 1 1 1 0
3 0 0 1 1 1 1 0 1 0 1 1
4 0 1 0 0 1 0 1 1 0 0 1
7 0 1 1 1 1 1 0 0 0 0 1
8 1 0 0 0 1 1 1 1 1 1 1
B 1 0 1 1 0 0 1 1 1 1 1
C 1 1 0 0 0 1 1 0 1 1 0
F 1 1 1 1 0 1 1 1 1 0 0

1.3.  Минимизация логической функции.

Составить СДНФ по таблице, построить карты Карно и минимизировать их.

1

1

1

1

1

1

1

1

1

1

1

1

1

1

1

1

1

1

1

1

1

1

1


1

1

1

1

1


1

1

1

1

1


1

1

1

1

1

1


1.4.  Выбор и обоснование функциональной схемы устройства.

    

 

1.5.  Синтез электрической принципиальной схемы

в базисе «И-НЕ».

Можно уменьшить количество наименований схем. Это можно сделать путем преобразования с помощью формул:

В результате получаем только схемы “И-НЕ” и схемы отрицания

Повторяющиеся значения формул СДНФ

1.6. Выбор и обоснование элементной базы.

Для проектирования было предложено выбрать элементы ТТЛ серий 155 и 555. После сравнения характеристик этих двух серий мною была выбрана 555 серия.

Потому что:

¾   во-первых, коэффициент разветвления у неё в два раза больше, чем у 155 серии, что в дальнейшем даст возможность не использовать дополнительные резисторы на входе схемы

¾   во-вторых, элементы 555 серии потребляют меньше мощности в отличие от серии 155, так как их максимальное напряжение и сила тока меньше, чем у 155 серии.

В 555 серию входят различные логические элементы общим числом 98 наименований. Их назначение заключается в построении узлов ЭВМ и устройств дискретной автоматики с высоким быстродействием и малой потребляемой мощностью.

Элементы И – НЕ в 555 серии содержат простые n-p-n транзисторы VT2 – VT4, многоэмиттерный транзистор VT1, а так же резисторы и диоды, количество которых зависит от конкретного элемента. Такая схема обеспечивает возможность работы на большую емкостную нагрузку при высоком быстродействии и помехоустойчивости.

В качестве индикатора выбран семисегментный индикатор АЛС320Б, один из немногих индикаторов способный отображать не только цифровую информацию, но и буквенную, что необходимо в проектируемом устройстве.

В моей схеме используется следующие микросхемы серии К555:

К555ЛА1, К555ЛА2, К555ЛА4, К555ЛН1, К555ЛН2


1.7.  Описание используемых в схеме ИМС и семисегментного индикатора.

К555ЛА1

Два логических элемента 4И-НЕ


выв.

Назначение


выв.

Назначение

1

2

3

4

5

6

7

Вход Х1

Вход Х2

Свободный

Вход Х3

Вход Х4

Выход Y1

Общий

8

9

10

11

12

13

14

Выход Y2

Вход Х5

Вход Х6

Свободный

Вход Х7

Вход Х8

Ucc


DIP14

Пластик


Тип микросхемы К555ЛА1
Фирма производитель СНГ
Функциональные особенности 2 элемента 4И-НЕ

Uпит

5В ± 5%

Uпит (низкого ур-ня)

≤ 0,5В

Uпит (высокого ур-ня)

≥ 2,7В

Iпотреб (низкий ур-нь Uвых)

≤ 2,2мА

Iпотреб (высокий ур-нь Uвых)

≤ 0,8мА

Iвых (низкого ур-ня)

≤ |-0.36|мА

Iвых (высокого ур-ня)

≤ 0,02мА
P 7,88мВт

tзадержки

20нСек

Kразвёртки

20
Корпус DIP14

К555ЛА2

Логический элемент 8И-НЕ


выв.

Назначение


выв.

Назначение

1

2

3

4

5

6

7

Вход Х1

Вход Х2

Вход Х3

Вход Х4

Вход Х5

Вход Х6

Общий

8

9

10

11

12

13

14

Выход Y1

Свободный

Свободный

Вход Х7

Вход Х8

Свободный

Ucc


DIP14

Пластик


Тип микросхемы К555ЛА2
Фирма производитель СНГ
Функциональные особенности элемент 8И-НЕ

Uпит

5В ± 5%

Uпит (низкого ур-ня)

≤ 0,5В

Uпит (высокого ур-ня)

≥ 2,7В

Iпотреб (низкий ур-нь Uвых)

≤ 1,1мА

Iпотреб (высокий ур-нь Uвых)

≤ 0,5мА

Iвых (низкого ур-ня)

≤ |-0,4|мА

Iвых (высокого ур-ня)

≤ 0,02мА
P 4,2мВт

tзадержки

35нСек

Kразвёртки

20
Корпус DIP14

К555ЛА4

Три логических элемента 3И-НЕ


выв.

Назначение


выв.

Назначение

1

2

3

4

5

6

7

Вход Х1

Вход Х2

Вход Х4

Вход Х5

Вход Х6

Выход Y2

Общий

8

9

10

11

12

13

14

Выход Y3

Вход Х7

Вход Х8

Вход Х9

Выход Y1

Вход Х3

Ucc


DIP14

Керамический


Тип микросхемы К555ЛА4
Фирма производитель СНГ
Функциональные особенности 3 элемента 3И-НЕ

Uпит

5В ± 5%

Uпит (низкого ур-ня)

≤ 0,5В

Uпит (высокого ур-ня)

≥ 2,7В

Iпотреб (низкий ур-нь Uвых)

≤ 1,2мА

Iпотреб (высокий ур-нь Uвых)

≤ 0,8мА

Iвых (низкого ур-ня)

≤ |-0.36|мА

Iвых (высокого ур-ня)

≤ 0,02мА
P 11,8мВт

tзадержки

15нСек

Kразвёртки

20
Корпус DIP14

К555ЛН1

Шесть инверторов


выв.

Назначение


выв.

Назначение

1

2

3

4

5

6

7

Вход Х1

Выход Y1

Вход Х2

Выход Y2

Вход Х3

Выход Y3

Общий

8

9

10

11

12

13

14

Выход Y4

Вход Х4

Выход Y5

Вход Х5

Выход Y6

Вход Х6

Ucc

12

 


DIP14

Пластик


Тип микросхемы К555ЛН1
Фирма производитель СНГ
Функциональные особенности 6 инверторов

Uпит

5В ± 5%

Uпит (низкого ур-ня)

≤ 0,5В

Uпит (высокого ур-ня)

≥ 2,7В

Iпотреб (низкий ур-нь Uвых)

≤ 6,6мА

Iпотреб (высокий ур-нь Uвых)

≤ 2,4мА

Iвых (низкого ур-ня)

≤ |-0.36|мА

Iвых (высокого ур-ня)

≤ 0,02мА
P 23,63мВт

Tзадержки

≤ 20нСек

Kразвёртки

20
Корпус DIP14

К555ЛН2

Шесть инверторов с открытым коллекторным выходом


выв.

Назначение


выв.

Назначение

1

2

3

4

5

6

7

Вход Х1

Выход Y1

Вход Х2

Выход Y2

Вход Х3

Выход Y3

Общий

8

9

10

11

12

13

14

Выход Y4

Вход Х4

Выход Y5

Вход Х5

Выход Y6

Вход Х6

Ucc

12

 


DIP14

Пластик


Тип микросхемы К555ЛН2
Фирма производитель СНГ
Функциональные особенности 6 инверторов с открытым коллекторным выходом

Uпит

5В ± 5%

Uпит (низкого ур-ня)

≤ 0,5В

Uпит (высокого ур-ня)

≥ 2,7В

Iпотреб (низкий ур-нь Uвых)

≤ 6,6мА

Iпотреб (высокий ур-нь Uвых)

≤ 2,4мА

Iвых (низкого ур-ня)

≤ |-0.36|мА

Iвых (высокого ур-ня)

≤ 0,02мА
P 23,63мВт

Tзадержки

≤ 32нСек

Kразвёртки

20
Корпус DIP14

ИНДИКАТОР ЦИФРОВОЙ

АЛС320Б


Название АЛС320Б
Цвет свечения зеленый
Н, мм 5
М 1
Lmin, нм 555
Lmax, нм 565
Iv, мДж 0.15
при Iпр, мА 10
Uпр max(Uпр max имп), В 3
Uобр max(Uобр max имп), В 5
Iпр max(Iпр max имп), мА 12
Iпр и max, мА 60
при tи, мс 1
при Q 12
Т,°С -60…+70

2. Расчетная часть

2.1. Расчет быстродействия и потребляемой мощности устройства

·     Расчет номиналов резисторов

Из расчетов видно, что сопротивление равно 758 Ом, а его наминал,
равен 1 кОм. Сопротивление индикатора равно 167 Ом, а его
наминал, равен 250 Ом.

·     Расчет быстродействия

Таким образом, из расчета, время задержки составляет 127 нс.

·     Расчет мощности

Таким образом, из расчета я получил потребляемую мощность

равную 402,88 мВт

2.2. Расчет вероятности безотказной работы устройства и
среднего времени наработки на отказ.

Наименее

Обозначение
на схеме

Кол-во
элементов

10-6

Режим  работы

Усл. раб.
Кl

Коэф.
а

li =a×кl×lо

10-6

10-6

Кн

Резисторы

R1

1 1 1 50 1,6 2,7 4,32 4,32

R2-8

7 0,4 1,728 12,096
ИМС

DD1-DD10

10 0,1 1 50 1 2,7 0,27 2,7

ИМС

(К555ЛН2)

DD11-DD12

2 0,08 1 50 1 2,7 0,216 0,432
Индикатор VD 7 5 1 50 1,6 2,7 21,6 151,2

1.   Прикидочный расчет

2.   Ориентировочный расчет

3.   Окончательный расчет

Графическая часть проекта.

 



Заключение.

В курсовом проекте я разработал электрическую принципиальную схему управления семисегментного индикатора.

Изначально, по заданию, составив таблицы истинности и минимизировав логическую функцию, получили те сигналы, которые поступят непосредственно на индикатор (пройдя предварительную инверсию). Преобразовав полученные формулы и выделив повторяющиеся блоки, оптимизировал работу схемы. В ней используются микросхемы серии К555, т.к. они являются более новыми, чем серия К155, а также рассчитывались номинал резисторов, быстродействие, потребляемая мощность и вероятность безотказной работы устройства.

Значение прикидочного расчета больше, так как при его расчете было взято максимальное значение коэффициента интенсивности отказов, а в ориентировочном расчете для каждого элемента свое. Из-за этой разницы в ориентировочном расчете увеличилось P(t) и Tср.

Список литературы.

1. «Справочник по интегральным микросхемам» Тарабин; Москва 1981г.

2. «Цифровые интегральные микросхемы» Богданович М.И., Грель И.Н., Похоренко В.А., Шалимо В.В.; Минск, Беларусь 1991г.

3. Конспект по предмету «Конструирование ЭВМ» преподаватель – Пушницкая И.В.

4. Конспект по предмету «Типовые элементы и устройства цифровой техники» преподаватель – Золотарев И.В., Тихонов Б.Н.

5. методическая указания к выполнению курсового проекта по предмету «Электронные цифровые вычислительные машины и микропроцессоры» Пушницкая И.В., Чечурина А.В.

Ленинград 1990г.

6. Методические рекомендации по оформлению курсовых и дипломных проектов Лагутина Н.И.; Ленинград 1987г.

7. «Справочник по полупроводниковых электронных приборов» Иванов В.И.

8. «Справочник интегральных микросхем» Нефедов

9. «Импульсные и цифровые устройства» Браммер Ю.А., Пащук И.Н.


 
© 2012 Рефераты, скачать рефераты, рефераты бесплатно.