Главная Рефераты по геополитике Рефераты по государству и праву Рефераты по гражданскому праву и процессу Рефераты по делопроизводству Рефераты по кредитованию Рефераты по естествознанию Рефераты по истории техники Рефераты по журналистике Рефераты по зоологии Рефераты по инвестициям Рефераты по информатике Исторические личности Рефераты по кибернетике Рефераты по коммуникации и связи Рефераты по косметологии Рефераты по криминалистике Рефераты по криминологии Рефераты по науке и технике Рефераты по кулинарии Рефераты по культурологии Рефераты по зарубежной литературе Рефераты по логике Рефераты по логистике Рефераты по маркетингу Рефераты по международному публичному праву Рефераты по международному частному праву Рефераты по международным отношениям Рефераты по культуре и искусству Рефераты по менеджменту Рефераты по металлургии Рефераты по муниципальному праву Рефераты по налогообложению Рефераты по оккультизму и уфологии Рефераты по педагогике Рефераты по политологии Рефераты по праву Биографии Рефераты по предпринимательству Рефераты по психологии Рефераты по радиоэлектронике Рефераты по риторике Рефераты по социологии Рефераты по статистике Рефераты по страхованию Рефераты по строительству Рефераты по схемотехнике Рефераты по таможенной системе Сочинения по литературе и русскому языку Рефераты по теории государства и права Рефераты по теории организации Рефераты по теплотехнике Рефераты по технологии Рефераты по товароведению Рефераты по транспорту Рефераты по трудовому праву Рефераты по туризму Рефераты по уголовному праву и процессу Рефераты по управлению |
Реферат: Усилительные каскады в области высоких частотРеферат: Усилительные каскады в области высоких частотМОСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ИНСТИТУТ ЭЛЕКТРОНИКИ И МАТЕМАТИКИ (технический университет) Кафедра Электроники и электротехники ДокладТема: “ Усилительные каскады в области высших частот” Студент:Андриатис Ю.А. группа АП-52 Преподаватель:Ушаков В.Н. МОСКВА 1999Усилительный каскад на биполярном транзисторе. EK
R1 RK РИС 1. ПРИНЦИПИАЛЬНАЯ СХЕМА УСИЛИТЕЛЬНОГО RC - КАСКАДА Cк НА БИПОЛЯРНОМ ТРАНЗИСТОРЕ ВЫХОД IBX C
RH Uвых ВХОД CЭ R2 RЭ IBЫX
Рассматривая работу RC-каскада в области высоких частот мы можем принебречь влиянием емкости Ск, так как с возрастанием частоты входного сигнала сопротивление емкости Ск становится малым по сравнению с сопротивлением Rн. Пренебрегать емкостью С(суммарная паразитная емкость каскада) в области высоких частот нельзя.РИС 2. УПРОЩЕННАЯ ЭКВИВАЛЕНТНАЯ СХЕМА УСИЛИТЕЛЬНОГО КАСКАДА НА БИПОЛЯРНОМ ТРАНЗИСТОРЕ В ОБЛАСТИ ВЫСШИХ ЧАСТОТ Iб IBЫX
rвх R k C RH Uвых
h21эIб
Из схемы находим: Zk = (Rk || Rн)|| 1 = (Rk || Rн) * (1 / jвС) = (jвС) (Rk || Rн) + (1 / jвС) = (Rk || Rн) = (Rk || Rн) 1 + jвС(Rk || Rн) 1 + jвв где в = С(Rk || Rн) - постоянная времени нагрузочной цепи (Rk || Rн) U2 = h21эIб Zk = h21эIб 1 + jвв U1 = Iб rвх U2 (Ku)0 (Ku)в = = U1 1 + jвв На высших частотах происходит не только усиление сигнала но и появляется дополнительный фазовый сдвиг выходного сигнала относительно входного поэтому это выражение разбивается на два: 1 (Ku)в = √ 1 + (вв)2 tg φв = – вв В области высших частот характеристика будет иметь завал: Kв φв
K0 1 2 f()
f() 2 > 1 Равномерность частотной характеристики зависит от С. Чем меньше С тем характеристика лучше (более равномерна). Вообще избавиться от паразитной емкости – С невозможно. Ее можно только уменьшить за счет рационального конструирования. Кроме того на значение паразитной емкости влияет входная емкость следующего каскада и для ее уменьшения надо подключать к каскаду электронные устройства с минимальной входной емкостью.Например: эмиттерный повторитель. |
|
|