Реферат: Расчетно-Графическая работа ППД КД213А

Министерство высшего образования РФ.

Уральский государственный университет – УПИ

Кафедра “Технология и средства связи”

Расчетно-графическая работа

Полупроводниковый диод

«КД213А»

Преподаватель: Болтаев А.В.

Студент: Черепанов К.А.

Группа: Р-207

Екатеринбург

2000

В данной работе в табличной форме приводятся паспортные параметры (электрические и предельные эксплуатационные) полупроводникового диода КД213А, семейство вольт-амперных характеристик (ВАХ) при различных температурах, расчетные соотношения R=, r~, C; расчитываются TKUпр, TKIобр (температурные коэффициенты), rб (сопротивление базы). Приводится малосигнальная, высокочастотная эквивалентная схема исследуемого диода.

Содержание

1. Краткая характеристика диода............................................ 4

2. Паспортные параметры:....................................................... 4

2.1. Электрические.......................................................... 4

2.2. Предельные эксплуатационные............................... 4

3. Вольт-амперная характеристика.......................................... 5

3.1. При комнатной температуре.................................... 5

3.2. При повышенной...................................................... 6

4. Расчетные соотношения, таблицы и графики зависимостей для Т=25°С 6

5. Определение величины TKUпрям TKIобр.......................... 6

6. Определение сопротивления базы rб................................... 9

6.1. Приближенное.......................................................... 9

6.2. Точное....................................................................... 9

7. Малосигнальная высокочастотная эквивалентная схема.. 10

8. Библиографический список................................................ 10

9. Затраты времени на:........................................................... 10

9.1. Информационный поиск........................................ 10

9.2. Расчеты................................................................... 10

9.3. Оформление............................................................ 10

Краткая характеристика диода

Диод кремниевый, диффузионный. Предназначен для преобразования переменного напряжения частотой до 100 кГц. Выпускаются в металлопластмассовом корпусе с гибкими выводами. Тип диода и схема соединения электродов приводятся на корпусе. Отрицательный электрод соединен с металлическим основанием корпуса.

Масса диода не более 4 г.

КД213А [1]

Рисунок 1

Паспортные параметры:

Электрические

Постоянное прямое напряжение при Iпр=10А, не более:

Т=+25°С………………………………………………………...………………………………1В

Постоянный обратный ток при, не более:

Т=+25°С………………………………………………………...…………………………0,2мА

Время обратного восстановления при Uобр=20В, и Iпр, и=1А, и Iобр, и=0,1А:

КД213А…………………………………………………………...………………………300нс

Емкость диода, не более:

при Uобр=100 В………………………………………...……………………550 пФ

при Uобр=5 В………………………………………...……………………..1600 пФ

Предельные эксплуатационные

Постоянное (импульсное) обратное напряжение……………………..………200В

Постоянный (средний) прямой ток при RТ(П-С)≤ 1,5°С/Вт ……..…..………10А

Импульсный прямой ток при tи≤ 10мс, Q≥1000………………...…………100А

Импульсный обратный ток при температуре корпуса от 213 до 358 К при tи≤ 20мкс,………………...……………………………………………………………………..10А

Частота без снижения электрических режимов……………………………100кГц

Тепловое сопротивление

переход-среда: ……………………………….………………………………70К/Вт

переход-корпус: ……………………………….……………………………1,5К/Вт

Температура перехода: ……………………………………………………...+140°С

Температура окружающей среды: ……………………………………….-60°С…+85°С

Общая таблица параметров

Предельные значения параметров при Т=25˚С							Tk max (Tпмах) [Тмах]˚С	Значения параметров при Т= 25˚С						R т п-к, ˚С/Вт
I пр, ср max А		Uобр, и, п мах, В	Uобр мах, В	Iпрг (Iпр, уд)мах, А		fмах, кГц		Uпр (Uпр, ср) [Uпр, и], В		tвос, обр (tвос, обр при Tп мах), мкс			I обр(I обр, ср) [I обр, и, п, при Т п мах], мА

	Т˚С				tи(tпр), мс				Iпр (Iпр, ср) [Iпр, и], А		Iпр, и, А	Uпр, и, В

10	85	200	200	100	10	100	140	1	10	0,3	1	20	0,2	1,5

Вольт-амперная характеристика

При комнатной температуре

При повышенной

Расчетные соотношения, таблицы и графики зависимостей для Т=25°С

			Зависимость R= от Uпр
Uпр	0,6	0,7	0,8	0,9	1	1,1
R=	0,3	0,2333333	0,16	0,1125	0,090909	0,073333

			Зависимость r~ от Uпр
Uпр	0,1	0,2	0,3	0,4	0,5
r~	0,1	0,0666667	0,05	0,044444	0,038462

			Зависимость R= от Uобр
Uобр	50	100	150	200	250	300
R=	3571429	6666666,7	8333333	4878049	2777778	1304348

			Зависимость r~ от Uобр
Uобр	50	100	150	200	250
r~	50000000	25000000	5555556	2631579	1157407

Зависимость Cдиф от Uпр

Uпр

0,6

0,7

0,8

0,9

1,1

Сдиф

0,08

0,12

0,2

0,32

0,44

0,6

Зависимост Сб от Uобр

Определение величины TKUпрям TKIобр

Определение сопротивления базы rб

Приближенное

Точное

Малосигнальная высокочастотная эквивалентная схема

Библиографический список

1. Диоды и их зарубежные аналоги: Справочник. В 3-х томах. /Хрулев А.К., Черепанов В.П.- Том 1-М.: ИП РадиоСофт, 1998-640с.

2. Справочник по полупроводниковым диодам/ Бородин Б.А., Дроневич В.М., Егорова Р.В. и др.; под ред. И.Ф. Николаевского.—М.: Связь , 1979.– 432 с., ил.

3. Диоды. справочник/ О.П. Григорьев, В.Я. Замятин, Б.В. Кондратьев, С.Л. Пожидаев.—М.: Радио и связь, 1990.—336 с.: ил.– (Массовая радиобиблиотека. Вып. 1158)

4. Полупроводниковые приборы: Диоды, тиристоры, оптоэлектронные приборы. Справочник / А.В. Баюков, А.Б. Гитцевич, А.А. Зайцев и др.; Под общ. ред. Н.Н. Горюнова.–М.: Энергоиздат, 1982.– 744 с., ил.

5. Лекции по курсу «Физические Основы МикроЭлектронники»/ Черепанов К.А- под ред. Болтаев А.В. 2000.-50л.

Затраты времени на:

a) Информационный поиск-72 часf

b) Расчеты-1час (67 мин.)

c) Оформление- 6 часов (357мин.)

[1] Зарубежный аналог КД213А - 1N1622 производства Sarkez Tarzian, США